-
磁性半導(dǎo)體具有特殊的磁電和磁光性質(zhì),是先進多功能自旋電子器件的重要候選材料。然而,大多數(shù)磁性半導(dǎo)體 - 譬如磁性離子摻雜的稀磁半導(dǎo)體以及EuO、CdCr2S4等非摻雜的本征鐵磁半導(dǎo)體 - 均具有遠低于室溫的磁有序溫度,大大限制了這類材料的潛在應(yīng)用。因而,如何制備具有室溫以上磁有序溫度且磁、光、電等多種功能屬性耦合在一起的磁性半導(dǎo)體材料是極具挑戰(zhàn)的研究方向。
-
全球半導(dǎo)體不僅為智能手機、電腦、汽車和工業(yè)設(shè)備的各種產(chǎn)品提供了技術(shù)支持,同時也創(chuàng)造了人工智能、量子計算和先進無線網(wǎng)絡(luò)(包括5G)等新興市場。半導(dǎo)體是推動技術(shù)進步的發(fā)動機。先進的半導(dǎo)體可以創(chuàng)造更好的產(chǎn)品,帶來更大的需求和銷售收入,進而為開發(fā)更先進的半導(dǎo)體增加研發(fā)投入,促使新的應(yīng)用出現(xiàn)。
-
半導(dǎo)體是在美國發(fā)明的,美國工業(yè)今天仍然是市場的領(lǐng)導(dǎo)者。盡管美國的地位在過去幾十年里多次受到挑戰(zhàn),但由于其驚人的韌性和追趕技術(shù)的能力...
-
除了機理上的見解之外,本研究還通過概念驗證太陽光電化學(xué)檢測超稀釋H 2的方法,進一步證明了在分析生物化學(xué)領(lǐng)域中,這種無半導(dǎo)體的LSPR介導(dǎo)的H 2 O 2在Ag NWs上的光電化學(xué)的巨大前景PBS中的O 2。沉積在作為工作電極的碳布基材上的Ag NW在太陽光下顯示出極好的靈敏度,達到118μAcm -2 ?mM -1,比在黑暗中測得的電化學(xué)對應(yīng)物的靈敏度高出50%。
-
芯片的制作工藝級別一直都是大家非常關(guān)注的問題,從2004年的64納米工藝一直升級到現(xiàn)在的5納米工藝,足足用了16年時間之久,如今有消息傳出荷蘭的ASML公司已經(jīng)完成1nm光刻機設(shè)計,說明1nm光刻機有突破了,并預(yù)計在2022年開始商用,這消息一出宛如一顆重磅震撼彈般撼動著整個世界。